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S4M V7G

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器件名 厂商 描 述 功能
S4M V7G Taiwan Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB 下载
S4M V7G的相关参数为:

器件描述

DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

参数
参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)4A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.15V @ 4A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)1.5µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容60pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AB,SMC
供应商器件封装DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
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